据外媒报道，美国麻省理工学院的研究人员发现一种铋—锑化合物具有类似石墨烯的许多不同寻常特性，在某些情况下，可以与石墨烯互补作为替换材料。这种铋—锑薄膜材料具有多种不同的可控特性，根据环境的温度和压力，材料会加厚和定向生长。
新材料拥有独特的二维平面结构和狄拉克锥形电子能带结构，术语称为狄拉克锥二维。这种像石墨烯一样的不同寻常的电子性质可使电子以不同的方式移动，超过了在大多数材料中的可能，而这将是应用于制造下一代电子芯片或热电发电机和冷却器的非常理想的属性。
据了解，在这些材料中，电子“行驶堪比光束”，可使新的芯片具有更快的计算能力。在某些情况下，电子的流动速度超出传统的硅芯片，可能达数百次。同样，在热电应用程序中，设备两侧间的温差会创建一个更快的电子运动电流，再加上较强的隔热性能，促使电力更有效地产生，比如利用卫星阴阳两面间的温差，有可能在为卫星供电方面显示用途。
不过，目前尚没有利用这种新材料制造出任何设备，有些细节问题还要解决，但其中的原理已清楚，会在一年时间内作出必要的验证。
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